Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Prokopenko, N. N."'
Autor:
Dvornikov, O. V., Tchekhovsky, V. A., Prokopenko, N. N., Galkin, Ya. D., Kunts, A. V., Chumakov, V. E.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Dec2023, Vol. 52 Issue 7, p702-710, 9p
Autor:
Dvornikov, O. V., Tchekhovsky, V. A., Prokopenko, N. N., Galkin, Ya. D., Kunts, A. V., Chumakov, V. E.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Dec2023, Vol. 52 Issue 7, p599-607, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IUP Journal of Electrical & Electronics Engineering; Jul2022, Vol. 15 Issue 3, p24-41, 18p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 71; 40-45
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 71; 40-45
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 71; 40-45
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 71; 40-45
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 71; 40-45
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static b
Publikováno v:
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 69; 5-10
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 69; 5-10
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 69; 5-10
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 69; 5-10
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 69; 5-10
The article proposes a method of bandwidth extension of the analog integrated circuit of the variable-gain amplifier (VGA) based on SiGe BiCMOS technology with the rules of 0.18 µm. The designed VGA has a linear (in dB) control characteristic. The a
Publikováno v:
Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71
Розглянуто вплив гамма-випромiнювання радiонуклiда 60Co на найбiльш важливi для аналогових мiкросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторiв тех
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::0e7dd1327f487dfff554d03a736f0cbe
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Sep2019, Vol. 48 Issue 5, p299-309, 11p