Evidence of boron pairs in highly boron laser doped silicon

Autor: Desvignes, Léonard, Chiodi, Francesca, Hallais, Géraldine, Débarre, Dominique, Priante, Giacomo, Liao, Feng, Pacot, Guilhem, Sermage, Bernard

Secondary Ions Mass Spectroscopy and Hall effect measurements were performed on boron doped silicon with concentration between 0.02 at.% and 12 at.%. Ultra-high boron doping was made by saturating the chemisorption sites of a Si wafer with BCl3, foll

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2207.02520

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Enhanced plasmonic properties of gold-catalysed semiconductor nanowires

Autor: Vincenzo Grillo, Denys Naumenko, Giacomo Priante, Valentina Zannier, Damiano Cassese, Silvia Rubini, Simone Dal Zilio, Marco Lazzarino

Publikováno v: Nanoscale (Online) 6 (2014): 13651–13659. doi:10.1039/c4nr03913k
info:cnr-pdr/source/autori:Naumenko, Denys[ 1 ] ; Zannier, Valentina[ 1,2 ] ; Grillo, Vincenzo[ 3 ] ;Cassese, Damiano[ 1,2 ] ; Priante, Giacomo[ 1 ] ; dal Zilio, Simone[ 1 ] ; Rubini, Silvia[ 1 ] ; Lazzarino, Marco[ 1 ]/titolo:Enhanced plasmonic properties of gold-catalysed semiconductor nanowires/doi:10.1039%2Fc4nr03913k/rivista:Nanoscale (Online)/anno:2014/pagina_da:13651/pagina_a:13659/intervallo_pagine:13651–13659/volume:6

A key challenge for the development of plasmonic nanodevices is their integration into active semiconducting structures. Gold-catalysed semiconductor nanowires are promising candidates for their bottom-up growth process that aligns a single gold nano

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d623606c96579ba5c9b6350fd75b6c09
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/25274074