Výsledky vyhledávání - "Preuninger, Fred"

Akademický článek

Detection and comparison of localized states produced in poly-Si/ultra-thin oxide/silicon, structures by plasma exposure or plasma charging during reactive ion etching.

Autor: Fonash, Stephen J., Ozaita, Milagros, Awadelkarim, Osama O., Preuninger, Fred, Chan, Y. D.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1996, Vol. 79 Issue 4, p2091, 6p, 2 Diagrams, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Etching-related reverse short channel effect in buried channel P-MOSFET.

Autor: Chang, Chorng P., Ng, K. K., Lindenberger, W. S., Kook, Taeho H., Preuninger, Fred N., Kornblit, Avi

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1993, Issue 1, p46-57, 12p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Evaluation of plasma damage using fully processed metal-oxide-semiconductor transistors.

Autor: Li, Xiao-Yu, Brożek, Tomasz, Preuninger, Fred, Chan, David, Viswanathan, Chand R.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 1, p571-576, 6p

Zobrazit plný text záznamu