Zobrazeno 1 - 10
of 58
pro vyhledávání: '"Prasongkit, Jariyanee"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Saengvong, Pariwat, Boonlakhorn, Jakkree, Jumpatam, Jutapol, Chanlek, Narong, Prasongkit, Jariyanee, Putasaeng, Bundit, Moontragoon, Pairot, Srepusharawoot, Pornjuk, Thongbai, Prasit
Publikováno v:
In Heliyon January 2023 9(1)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rotjanapittayakul, Worasak, Prasongkit, Jariyanee, Rungger, Ivan, Sanvito, Stefano, Pijitrojana, Wanchai, Archer, Thomas
Publikováno v:
Phys. Rev. B 98, 054425 (2018)
By imposing the constraints of structural compatibility, stability and a large tunneling magneto-resistance, we have identified the Fe$_3$Al/BiF$_3$/Fe$_3$Al stack as a possible alternative to the well-established FeCoB/MgO/FeCoB in the search for a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1805.08603
Autor:
Prasongkit, Jariyanee, Martins, Ernane F., de Souza, Fábio A. L., Scopel, Wanderlã L., Amorim, Rodrigo G., Amornkitbamrung, Vittaya, Rocha, Alexandre R., Scheicher, Ralph H.
Topological line defects in graphene represent an ideal way to produce highly controlled structures with reduced dimensionality that can be used in electronic devices. In this work we propose using extended line defects in graphene to improve nucleob
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1712.02094
Autor:
Prasongkit, Jariyanee
This thesis presents the theoretical studies of electronic transport in molecular electronic devices. Such devices have been proposed and investigated as a promising new approach that complements conventional silicon-based electronics. To design and
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-160474
Publikováno v:
ACS Applied Energy Materials; 9/23/2024, Vol. 7 Issue 18, p7798-7807, 10p
Autor:
Prasongkit, Jariyanee, Shukla, Vivekanand, Grigoriev, Anton, Ahuja, Rajeev, Amornkitbamrung, Vittaya
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 December 2019 497