Zobrazeno 1 - 10
of 601
pro vyhledávání: '"Power switching"'
Publikováno v:
Applied Mathematics and Nonlinear Sciences, Vol 8, Iss 2, Pp 2443-2452 (2023)
This paper introduces a communication network health monitoring technology and integrated operation management platform based on a power switching network. Firstly, network characteristics are described from technology, structure and service function
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/70a4a95ea0184edaab437625b905e7bf
Publikováno v:
Energy Reports, Vol 8, Iss , Pp 8002-8016 (2022)
To increase the transient power limit, and reduce the impact of operating condition changes on the electric vehicles’ powerful battery, it is essential to stabilize the working condition, enhance the vehicle’s dynamic performance and energy utili
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/adb57e169e45454c866e5d99edec5606
Autor:
Biradar Vijayalaxmi
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 540, p 10031 (2024)
Power switching in smart grid has been identified as the key issue in literature. There exist number of models to handle this problem which consider the residual energy of grids in performing power switching. However, the performances of the models a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5ba130540cf04fdbace4e896c5c29f38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Erica Raviola, Franco Fiori
Publikováno v:
Signals, Vol 2, Iss 3, Pp 586-603 (2021)
With power designers always demanding for faster power switches, electromagnetic interference has become an issue of primary concern. As known, the commutation of power transistors is the main cause of the electromagnetic noise, which can be worsened
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc909ae8259144909b156a651cc510c3
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 1145-1153 (2020)
A methodology has been proposed to accurately model the gate stack of Gallium Nitride (GaN) based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs). Small-signal analysis has been performed for the device biased in the spil
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f70f3a67df0d4c26b1a566cb48e01919
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.