Zobrazeno 1 - 10
of 29 349
pro vyhledávání: '"Power switching"'
Autor:
Simon Ang, Alejandro Oliva
Significantly expanded and updated with extensive revisions, new material, and a new chapter on emerging applications of switching converters, Power-Switching Converters, Third Edition offers the same trusted, accessible, and comprehensive informatio
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Song, Qihao
Wide-bandgap gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) are gaining increased adoption in applications like mobile electronics and data centers. Benefitting from the high channel mobility and the high breakdown field of GaN, GaN
Externí odkaz:
https://hdl.handle.net/10919/121146
Here, we propose a Charge Plasma (CP)-based Germanium Double Gate Tunnel Field-Effect Transistor (Ge-DGTFET) device structure, where a CP is induced in the heavily doped source region using the work function engineering of source electrode. The CP en
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.13699
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2024 153
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B January 2024 299