Zobrazeno 1 - 10
of 228
pro vyhledávání: '"Power delivery network (PDN)"'
Autor:
Zhecheng Pan, Tao Liu, Jingwen Yang, Kun Chen, Saisheng Xu, Chunlei Wu, Min Xu, David Wei Zhang
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 9, p 1751 (2023)
The complementary field-effect transistor (CFET) with N-type FET (NFET) stacked on P-type FET (PFET) is a promising device structure based on gate-all-around FET (GAAFET). Because of the high-density stacked structure, the self-heating effect (SHE) b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f16d763a7265446680d54807b29bf298
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 46573-46588 (2021)
Conventional power delivery networks (PDNs) and power management techniques using off-chip power converters with bulky passive components cannot meet the ever-evolving power delivery requirements of high-performance modern system-on-chips (SoCs). In
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1c6e316bda554c4f913317498c5abb87
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 197875-197884 (2020)
Computation of maximum voltage droop in power delivery networks is important for performance estimation. This article proposes a methodology to predict the maximum voltage droop caused by current sources in ICs. We derive the analytical relations and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5e8ecd8980484c3f9012bcc0cad2ed65
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Youngwoo Kim
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1433 (2022)
In this study, power/ground noise suppression structures were designed based on a proposed dispersion analysis for packages and interposers with low-loss substrates. Low-loss substrates are suitable for maintaining signal integrity (SI) of high-speed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/330126f7407c4e57b65a377bc6fc3c25
Autor:
Hesheng Lin, Geert van der Plas, Xiao Sun, Dimitrios Velenis, Francky Catthoor, Rudy Lauwereins, Eric Beyne
Publikováno v:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 30:1748-1756
ispartof: IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS vol:30 issue:11 pages:1748-1756 status: published
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3e4f76e2d03a43ddaa3b4d76d25f7cb0
https://doi.org/10.1109/tvlsi.2022.3183904
https://doi.org/10.1109/tvlsi.2022.3183904
Autor:
Hiroki Sonoda, Ryo Kasai, Daisuke Tanaka, Yoshihide Murakami, Kyoshi Mihara, Yuuki Araga, Naoya Watanabe, Haruo Shimamoto, Katsuya Kikuchi, Takuji Miki, Makoto Nagata
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 12:1140-1149
This article confirms the advantage of fan-out (FO) packaging in the electrical performance of power delivery among integrated circuit (IC) chips with the best use of land side capacitors (LSCs). On-chip in-place waveform measurements quantitatively
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::491ea5bf15b07f40f38048e11359ae75
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2022.3179149
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2022.3179149
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.