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pro vyhledávání: '"Power GaN HEMT"'
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse, 2020. Français
National audience; Power-GaN-HEMT is the up-and-coming device in space applications. Gallium nitride tolerates higher operational temperatures than silicon, and it is an inherently radiation-hard material. In addition, GaN-based transistors offer rem
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3a76fe4b00dbdf02cead4a3665dc177c
https://hal.laas.fr/tel-03176005
https://hal.laas.fr/tel-03176005
Autor:
Chihani, Omar
L’industrie des transports aéronautique et terrestre voit une augmentation constante de l’électrification de ses fonctions. Les actionneurs mécaniques ou hydrauliques sont au fil des évolutions technologiques remplacés par des actionneurs é
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http://www.theses.fr/2018BORD0148/document
Autor:
Chihani, Omar
The aeronautical and terrestrial transport industries know a steady increase in the electrification of their functions. In fact, the mechanical or hydraulic actuators are gradually replaced by electric ones.The components dominating the market today
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::92bd48660d6a283297894bf10c99eb81
http://hdl.handle.net/20.500.12278/5412
http://hdl.handle.net/20.500.12278/5412