Výsledky vyhledávání - "Potier, Clément"

Dissertation/ Thesis

Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique

Autor: Potier, Clément

Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en Nitrure de Gallium (GaN) s’affirment aujourd’hui comme une technologie essentielle à l’amplification de puissance à haute fréquence. Les HEMTs GaN étudiées et développées repos

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2016LIMO0033/document

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Technologie InAlGaN/GaN/SiC à faibles effets mémoires délivrant 10W/mm à 30 GHz

Autor: Piotrowicz, Stéphane, Patard, O., Gamarra, P., Potier, Clément, Chartier, E., Dua, C., Jacquet, J.C., Lacam, M., Michel, N., Nallatamby, Jean-Christophe, Ouali, M., ALTUNTAS, P., Prigent, Michel, Delage, Sylvain

Publikováno v: XXI èmes Journées Nationales Microondes
XXI èmes Journées Nationales Microondes, May 2019, –Caen, France

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0f56b313976f6ab3ec7e8b5927a6bc15
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02460542

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Traps’ characterization and modeling by the study of the output conductance dispersion at low frequencies, in InAlN/GaN HEMT technologies for the amplification in millimetric range

Autor: Potier, Clément

Publikováno v: Electronique. Université de Limoges, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LIMO0033⟩

Nowadays, High Electron Mobility Transistors (HEMTs) in Gallium Nitride (GaN) take the lead in power amplification at microwave frequencies. Most of the studies and developments on those HEMTs concern AlGaN/GaN structures but alternative transistors

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0b743e185326ee2890408ce687474439
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01356383/document

Zobrazit plný text záznamu