Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"Potapovich, N. S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Technical Physics Letters; 2023 Supplement1, Vol. 49, pS64-S67, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Potapovich, N. S.1 (AUTHOR) nspotapovich@mail.ioffe.ru, Davidyuk, N. Yu.1 (AUTHOR), Larionov, V. R.1 (AUTHOR), Khvostikov, V. P.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Dec2020, Vol. 65 Issue 12, p2026-2030. 5p.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:10
The investigations of Pd/Ge/Au contact system forming regimes influence on the specific contact resistivity to n-type conductivity GaAs layer were carried out. The method of samples surface treatment before the layers evaporation and thermal annealin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44bef8e6cf9c1a7d457adb2380ae87df
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55361.19409
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55361.19409
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.