Zobrazeno 1 - 10 of 92 pro vyhledávání: '"Potapovich, N."'
1
Akademický článek
InGaAsP/InP Photovoltaic Converters for Narrowband Radiation.
Autor: Potapovich, N. S.1 (AUTHOR), Nakhimovich, M. V.1 (AUTHOR), Khvostikov, V. P.1 (AUTHOR) vlkhv@scell.ioffe.ru
Publikováno v: Semiconductors. Dec2023, Vol. 57 Issue 13, p611-614. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Investigation of Concentrator Photovoltaic Modules with Reflective Secondary Optical Elements.
Autor: Sadchikov, N. A.1 (AUTHOR) N.A.Sadchikov@mail.ioffe.ru, Potapovich, N. S.1 (AUTHOR), Malevsky, D. A.1 (AUTHOR), Davidyk, N. Yu.1 (AUTHOR), Andreeva, A. V.1 (AUTHOR), Chekalin, A. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics. Dec2023, Vol. 68 Issue 12, p771-777. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Forming Regimes of Pd/Ge/Au Contact System to n-GaAs Influence on Its Electric Parameters.
Autor: Malevskaya, A. V., Soldatenkov, F. Yu., Levin, R. V., Potapovich, N. S.
Publikováno v: Technical Physics Letters; 2023 Supplement1, Vol. 49, pS64-S67, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
An Investigation of the Influence of Secondary Optical Elements on the Output Parameters of Photovoltaic Modules.
Autor: Potapovich, N. S.1 (AUTHOR) nspotapovich@mail.ioffe.ru, Davidyuk, N. Yu.1 (AUTHOR), Larionov, V. R.1 (AUTHOR), Khvostikov, V. P.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics. Dec2020, Vol. 65 Issue 12, p2026-2030. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Forming regimes of Pd/Ge/Au contact system to n-GaAs influence on its electric parameters
Autor: null Potapovich N. S., null Levin R. V., null Soldatenkov F. Yu., null Malevskaya A. V.
Publikováno v: Technical Physics Letters. 49:10
The investigations of Pd/Ge/Au contact system forming regimes influence on the specific contact resistivity to n-type conductivity GaAs layer were carried out. The method of samples surface treatment before the layers evaporation and thermal annealin
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44bef8e6cf9c1a7d457adb2380ae87df
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55361.19409
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje