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pro vyhledávání: '"Potéreau, Manuel"'
Autor:
Potéreau, Manuel
La constante amélioration des technologies silicium permet aux transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) SiGeC (Silicium-Germanium : Carbone) de concurrencer les composants III-V pour les applications millimétriques et sous-THz (jusqu’à 3
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http://www.theses.fr/2015BORD0243/document
Autor:
Marque, Alexandre, Potéreau, Manuel, Ghiotto, Anthony, Deltimple, Nathalie, Rochette, Stéphane, Jardel, Olivier
Publikováno v:
JNM 2017
JNM 2017, May 2017, St Malo, France
JNM 2017, May 2017, St Malo, France
International audience; La conception d’un amplificateur à gain variable (Variable Gain Amplifier, VGA) pour une chaine d’amplification de satellites de télécommunication est présentée dans cet article. Il est réalisé à partir d’un att
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ba1b57245fd635d9cd6859c10418877e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01550525
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01550525
Autor:
Potéreau, Manuel, Mathieu, Romain, Marque, Alexandre, Ghiotto, Anthony, Deltimple, Nathalie, Rochette, Stéphane, Jardel., Olivier
Publikováno v:
XXèmes Journées Nationales Microondes
XXèmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France
XXèmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France
National audience; Ce papier décrit la conception d’un détecteur de puissance linéaire compact à très faible impact sur la chaîne RF (moins de 0,1 dB de pertes d’insertion), forte dynamique linéaire (20 dB) et faible sensibilité aux varia
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7f1d71b3cc510c0cca839238cea6860b
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01525550
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Akademický článek
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Autor:
Potéreau, Manuel, Curutchet, Arnaud, Ghiotto, Anthony, De Matos, Magali, Fregonese, Sébastien, Kerhervé, Eric, Zimmer, Thomas
Publikováno v:
19èmes Journées Nationales Microondes
19èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2015, Bordeaux, France
19èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2015, Bordeaux, France
National audience; Les synthétiseurs d’impédances ou « tuners » sont des instruments clefs utilisés pour la caractérisation des circuits radiofréquences (RF) actifs. Leur principale fonctionnalité est l’adaptation d’impédance d’entr
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4a2160b9634b1441dfb1f5d71f2741e1
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158220
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Autor:
Potéreau, Manuel
The continuous improvement in Silicon technologies allows SiGeC (Silicon-Germanium-Carbon) heterojunction bipolar transistors (HBT) to compete with III-V components for millimeter wave and sub-THz (below 300GHz) applications. The technology developme
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b1ccbfa47d8f2e6e537df8268cc96c68
http://hdl.handle.net/20.500.12278/5005
http://hdl.handle.net/20.500.12278/5005