Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Potéreau, Manuel"'
Autor:
Potéreau, Manuel
La constante amélioration des technologies silicium permet aux transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) SiGeC (Silicium-Germanium : Carbone) de concurrencer les composants III-V pour les applications millimétriques et sous-THz (jusqu’à 3
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015BORD0243/document
Autor:
Marque, Alexandre, Potéreau, Manuel, Ghiotto, Anthony, Deltimple, Nathalie, Rochette, Stéphane, Jardel, Olivier
Publikováno v:
JNM 2017
JNM 2017, May 2017, St Malo, France
JNM 2017, May 2017, St Malo, France
International audience; La conception d’un amplificateur à gain variable (Variable Gain Amplifier, VGA) pour une chaine d’amplification de satellites de télécommunication est présentée dans cet article. Il est réalisé à partir d’un att
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ba1b57245fd635d9cd6859c10418877e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01550525
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01550525
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Potéreau, Manuel, Curutchet, Arnaud, Ghiotto, Anthony, De Matos, Magali, Fregonese, Sébastien, Kerhervé, Eric, Zimmer, Thomas
Publikováno v:
19èmes Journées Nationales Microondes
19èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2015, Bordeaux, France
19èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2015, Bordeaux, France
National audience; Les synthétiseurs d’impédances ou « tuners » sont des instruments clefs utilisés pour la caractérisation des circuits radiofréquences (RF) actifs. Leur principale fonctionnalité est l’adaptation d’impédance d’entr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4a2160b9634b1441dfb1f5d71f2741e1
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158220
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01158220
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Potéreau, Manuel
The continuous improvement in Silicon technologies allows SiGeC (Silicon-Germanium-Carbon) heterojunction bipolar transistors (HBT) to compete with III-V components for millimeter wave and sub-THz (below 300GHz) applications. The technology developme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b1ccbfa47d8f2e6e537df8268cc96c68
http://hdl.handle.net/20.500.12278/5005
http://hdl.handle.net/20.500.12278/5005