Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"Post-oxidation annealing"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 5, Pp 358-364 (2016)
This paper investigates the Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT) performance with post oxidation annealing (POA) process. First, the optimum annealing condition was found to be 400°C for 20 min. The t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd219d8edb4c4f0db05ae46be090e3a4
Autor:
Kumar, Piyush, Martins, Maria Inês M., Bathen, Marianne, Woerle, Judith, Prokscha, Thomas, Grossner, Ulrike
Publikováno v:
Materials Science Forum, 1062
In this work, the interface between 4H-SiC and thermally grown SiO2 is studied using low energy muon spin rotation (LE-μSR) spectroscopy. Samples oxidized at 1300 °C were annealed in NO or Ar ambience and the effect of the ambience and the annealin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______150::37772abde147f748f797679691464ff0
https://hdl.handle.net/20.500.11850/578561
https://hdl.handle.net/20.500.11850/578561
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum, 1004
A novel POCl3 post-oxidation annealing recipe was developed. The interface trap density (Dit) is extracted by the C-ΨS method close to conduction band edge. The performance of the POCl3-treated oxide has been analyzed based on current density-electr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ff3b5d395697a362b886a2109e90293d
https://hdl.handle.net/20.500.11850/430947
https://hdl.handle.net/20.500.11850/430947
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.