Zobrazeno 1 - 10
of 149
pro vyhledávání: '"Possémé, N."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Boulard, F., Gros, V., Porzier, C., Brunet, L., Lapras, V., Fournel, F., Truffier-Boutry, D., Autillo, D., Ruault, P., Keovisai, M., Posseme, N.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 September 2022 265
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Darnon, M., Chevolleau, T., Eon, D., Bouyssou, R., Pelissier, B., Vallier, L., Joubert, O., Posseme, N., David, T., Bailly, F., Torres, J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2008 85(11):2226-2235
Autor:
Posseme, N., Chevolleau, T., David, T., Darnon, M., Barnes, J.P., Louveau, O., Licitra, C., Jalabert, D., Feldis, H., Fayolle, M., Joubert, O.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2008 85(8):1842-1849
Publikováno v:
France, Patent n° : N° 2006444. 2020
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8af8539db4c9d59e1e9a00a8fee55f26
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03777350
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03777350
Autor:
Aimadeddine, M., Arnal, V., Farcy, A., Guedj, C., Chevolleau, T., Possémé, N., David, T., Assous, M., Louveau, O., Volpi, F., Torres, J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2005 82(3):341-347
Autor:
Vallee, C., Bonvalot, M., Gonon, P., Bsiesy, A., Pelissier, B., Chevolleau, T., Yeghoyan, T., Jaffal, M., Belahcen, S., Vallat, R., Chacker, A., Pisi, Y., Zakhtser, A., Pesce, V., Lefèvreand , G., Salicio, O., Gassilloud, R., Possémé, N.
Publikováno v:
73rd Gaseous Electronics Conference GEC 2020
73rd Gaseous Electronics Conference GEC 2020, 2020, virtuelle, United States
73rd Gaseous Electronics Conference GEC 2020, 2020, virtuelle, United States
International audience; The scaling of transistor is still on the road only thanks to the introduction of complex multiple patterning steps that are more and more expensive and time consuming. Therefore, microelectronic industry needs new solutions a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::980b8cf64df8dfb673acfc38c33abcb6
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449640
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03449640
Publikováno v:
United States, Patent n° : US11393689 B2-Granted patent as second publication EP3764390 A111. 2019
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4ee0c554dc267daa69b9c44687a0f59d
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03777359
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03777359