Zobrazeno 1 - 10
of 352
pro vyhledávání: '"Portal, J. M."'
Autor:
Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Martin, S., Giraud, B., Andrieu, F., Nodin, J. F., Querlioz, D., Portal, J-M., Vianello, E.
Crossbar arrays of resistive memories (RRAM) hold the promise of enabling In-Memory Computing (IMC), but essential challenges due to the impact of device imperfection and device endurance have yet to be overcome. In this work, we demonstrate experime
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.01680
Autor:
Ezzadeen, M., Bosch, D., Giraud, B., Barraud, S., Noel, J. -P., Lattard, D., Lacord, J., Portal, J. -M., Andrieu, F.
The Von-Neumann bottleneck is a clear limitation for data-intensive applications, bringing in-memory computing (IMC) solutions to the fore. Since large data sets are usually stored in nonvolatile memory (NVM), various solutions have been proposed bas
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.00061
Publikováno v:
Dans Design, Automation and Test in Europe - DATE'05, Munich : Allemagne (2005)
The embedded DRAM (eDRAM) is more and more used in System On Chip (SOC). The integration of the DRAM capacitor process into a logic process is challenging to get satisfactory yields. The specific process of DRAM capacitor and the low capacitance valu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0710.4736
Autor:
Aziza, H., Portal, J.-M.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2016 64:59-62
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2015 103:73-78
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lopez, J. Minguet, Rummens, F., Reganaz, L., Heraud, A., Hirtzlin, T., Grenouillet, L., Navarro, G., Bernard, M., Carabasse, C., Castellani, N., Meli, V., Martin, S., Magis, T., Vianello, E., Sabbione, C., Deleruyelle, D., Bocquet, M., Portal, J. M., Molas, G., Andrieu, F.
Publikováno v:
IMW 2022-IEEE International Memory Workshop
IMW 2022-IEEE International Memory Workshop, May 2022, Dresden, Germany. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779253⟩
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW)
IMW 2022-IEEE International Memory Workshop, May 2022, Dresden, Germany. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779253⟩
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW)
International audience; We experimentally validated the sub-threshold reading strategy in OxRAM+OTS crossbar arrays for low precision inference in Binarized Neural Networks. In order to optimize the 1S1R sub-threshold current margin, an experimental
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::236c263ed3c5a7f751695823256c7c11
https://cea.hal.science/cea-03707392
https://cea.hal.science/cea-03707392
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
RUO. Repositorio Institucional de la Universidad de Oviedo
instname
instname
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c195431e8b60f629200ba609f1fb4695
http://hdl.handle.net/10651/63134
http://hdl.handle.net/10651/63134