Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"Porowski, Sylwester"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Porowski, Sylwester, Sadovyi, Bogdan, Gierlotka, Stanislaw, Rzoska, Sylwester J., Grzegory, Izabella, Petrusha, Igor, Turkevich, Vladimir, Stratiichuk, Denys
Results solving the long standing puzzle regarding the phase diagram and the pressure evolution of the melting temperature Tm(P) of gallium nitride (GaN), the most promising semiconducting material for innovative modern electronic applications, are p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.3254
Autor:
Piechota, Jacek, Krukowski, Stanisław, Sadovyi, Bohdan, Sadovyi, Petro, Porowski, Sylwester, Grzegory, Izabella
Publikováno v:
Chemistry of Materials; September 2023, Vol. 35 Issue: 18 p7694-7707, 14p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/21/2019, Vol. 126 Issue 3, pN.PAG-N.PAG, 7p, 9 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krukowski, Stanisław, Grzegory, Izabella, Bockowski, Michał, Łucznik, Boleslaw, Wróblewski, Mirosław, Porowski, Sylwester
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2007 304(2):299-309
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Grzegory, Izabella, author, Bockowski, Michal, author, Perlin, Piotr, author, Skierbiszewski, Czeslaw, author, Suski, Tadeusz, author, Sarzynski, Marcin, author, Krukowski, Stanislaw, author, Porowski, Sylwester, author
Publikováno v:
III-Nitride Semiconductors and their Modern Devices, 2013, ill.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/acprof:oso/9780199681723.003.0002
Publikováno v:
Low-Dimensional Nitride Semiconductors.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/oso/9780198509745.003.0003