Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Poletaev, N. K."'
Autor:
Sokolov, P. S., Petrov, M. Yu., Kavokin, K. V., Kurdyubov, A. S., Kuznetsova, M. S., Cherbunin, R. V., Verbin, S. Yu., Poletaev, N. K., Yakovlev, D. R., Suter, D., Bayer, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 96, 205205 (2017)
The spin dynamics of localized donor-bound electrons interacting with the nuclear spin ensemble in $n$-doped GaAs epilayers is studied using nuclear spin polarization by light with modulated circular polarization. We show that the observed build-up o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1707.02658
Autor:
Zaitsev, D. A., Ilinskaya, N. D., Koudinov, A. V., Poletaev, N. K., Egorov, A. Yu., Kavokin, A. V., Seisyan, R. P.
Comparative studies of the resonant transmission of light in the vicinity of exciton resonances, measured for 15 few-micron GaAs crystal slabs with different impurity concentrations $N$, reveal an unexpected tendency. While $N$ spans almost five deci
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1501.02676
Autor:
Dzhioev, R. I., Kavokin, K. V., Korenev, V. L., Lazarev, M. V., Poletaev, N. K., Zakharchenya, B. P., Stinaff, E. A., Gammon, D., Bracker, A. S., Ware, M. E.
We report a large and unexpected suppression of the free electron spin relaxation in lightly-doped n-GaAs bulk crystals. The spin relaxation rate shows weak mobility dependence and saturates at a level 30 times less then that predicted by the Dyakono
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0407133
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Krivolapchuk, V. V., Poletaev, N. K.
Publikováno v:
Semiconductors. Mar1998, Vol. 32 Issue 3, p277. 3p.
Publikováno v:
Semiconductors. Nov97, Vol. 31 Issue 11, p1161. 3p.