Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"Pobegen, Gregor"'
Autor:
Feil, Maximilian W., Weger, Magdalena, Reisinger, Hans, Aichinger, Thomas, Kabakow, André, Waldhör, Dominic, Jakowetz, Andreas C., Prigann, Sven, Pobegen, Gregor, Gustin, Wolfgang, Waltl, Michael, Bockstedte, Michel, Grasser, Tibor
Fully-processed SiC power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) emit light during switching of the gate terminal, while both drain and source terminals are grounded. The emitted photons are caused by defect-assisted recombinati
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.13463
Autor:
Berens, Judith, Bichelmaier, Sebastian, Fernando, Nathalie K., Thakur, Pardeep K., Lee, Tien-Lin, Mascheck, Manfred, Wiell, Tomas, Eriksson, Susanna K., Kahk, J. Matthias, Lischner, Johannes, Mistry, Manesh V., Aichinger, Thomas, Pobegen, Gregor, Regoutz, Anna
SiC is set to enable a new era in power electronics impacting a wide range of energy technologies, from electric vehicles to renewable energy. Its physical characteristics outperform silicon in many aspects, including band gap, breakdown field, and t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.06592
Autor:
Podsednik, Maximilian, Weiss, Maximilian, Larisegger, Silvia, Frank, Johannes, Pobegen, Gregor, Nelhiebel, Michael, Limbeck, Andreas
Publikováno v:
In Spectrochimica Acta Part B: Atomic Spectroscopy July 2023 205
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Berens, Judith, Mistry, Manesh V., Waldhör, Dominic, Shluger, Alexander, Pobegen, Gregor, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2022 139
Autor:
Gruber, Gernot, Cottom, Jonathon, Meszaros, Robert, Koch, Markus, Pobegen, Gregor, Aichinger, Thomas, Peters, Dethard, Hadley, Peter
SiC based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) have gained a significant importance in power electronics applications. However, electrically active defects at the SiC/SiO$_2$ interface degrade the ideal behavior of the devices
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.08664
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part A: Defect and Diffusion Forum; August 2024, Vol. 434 Issue: 1 p61-66, 6p
Publikováno v:
In Journal of Non-Crystalline Solids 15 January 2020 528