Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Plaut, Annette S."'
Autor:
Garcia, Jorge M., Wurstbauer, Ulrich, Levy, Antonio, Pfeiffer, Loren N., Pinczuk, Aron, Plaut, Annette S., Wang, Lei, Dean, Cory R., Buizza, Roberto, Van Der Zande, Arend M., Hone, James, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi
The growth of single layer graphene nanometer size domains by solid carbon source molecular beam epitaxy on hexagonal boron nitride (h-BN) flakes is demonstrated. Formation of single-layer graphene is clearly apparent in Raman spectra which display s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1204.2443
Autor:
Wurstbauer, Ulrich, Schiros, Theanne, Jaye, Cherno, Plaut, Annette S., He, Rui, Rigosi, Albert, Gutiérrez, Christopher, Fischer, Daniel, Pfeiffer, Loren N., Pasupathy, Abhay N., Pinczuk, Aron, García, Jorge M.
We demonstrate the growth of graphene nanocrystals by molecular beam methods that employ a solid carbon source, and that can be used on a diverse class of large area dielectric substrates. Characterization by Raman and Near Edge X-ray Absorption Fine
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.2905
Autor:
Luin, Stefano, Dujovne, Irene, Pellegrini, Vittorio, Pinczuk, Aron, Dennis, Brian S., Plaut, Annette S., Pfeiffer, Loren N., West, Ken W., Xu, Ji Hua
Strongly-correlated two-dimensional electrons in coupled semiconductor bilayers display remarkable broken symmetry many-body states under accessible and controllable experimental conditions. In the cases of continuous quantum phase transitions soft c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0307113
Autor:
Pellegrini, Vittorio, Pinczuk, Aron, Dennis, Brian S., Plaut, Annette S., Pfeiffer, Loren N., West, Ken W.
Publikováno v:
Science, 1998 Aug 01. 281(5378), 799-802.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/2896214
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
García Martínez, Jorge Manuel, Wang, Sheng, Plaut, Annette S., Wurstbauer, Ulrich, Pinczuk, Aron, Ripalda, José María, Granados, Daniel, Alén, Benito, González Díez, Yolanda, González Sotos, Luisa
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
instname
Comunicación presentada en la NanoTech Meet Tunisia, celebrada en Hammamet (Túnez) del 24 al 26 de abril de 2014.
Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a powerful tech-nique for the fabrication of several self-assembled III-V nanostructures such as
Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a powerful tech-nique for the fabrication of several self-assembled III-V nanostructures such as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::905e97eb8ea7402078a9363c87eb54a7
http://hdl.handle.net/10261/135296
http://hdl.handle.net/10261/135296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.