Zobrazeno 1 - 10
of 213
pro vyhledávání: '"Plasma-induced damage"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 16, Iss 1, Pp 1-6 (2021)
Abstract This work proposed a modified plasma induced charging (PID) detector to widen the detection range, for monitoring the possible plasma damage across a wafer during advanced CMOS BEOL processes. New antenna designs for plasma induced damage pa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2048a2b10dbe452aa2d302480cd02be3
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-7 (2020)
Abstract High-density interconnects, enabled by advanced CMOS Cu BEOL technologies, lead to closely placed metals layers. High-aspect ratio metal lines require extensive plasma etching processes, which may cause reliability concerns on inter metal di
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c5f37579d9c740299df0877a13279660
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yoshiki Yamamoto, Kazuhiko Segi, Shibun Tsuda, Hideki Makiyama, Takumi Hasegawa, Keiichi Maekawa, Hiroki Shinkawata, Tomohiro Yamashita
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 825-828 (2019)
This paper reports new findings about the plasma-induced damage on silicon on thin buried oxide (BOX) transistor. The plasma charge collected by source or drain causes Vth shift, which depends on BOX thickness. In addition, the observation was made t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3b959f8b90d34fc6ad7bbb408fe5fe6f
Autor:
Banda, Yara S.
Gallium oxide (Ga2O3) has been the subject of extensive research activity due to its ultrawide bandgap and large breakdown field, which make it promising for next-generation applications in deep ultraviolet detection and power electronics. β-Ga2O3 i
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10754/694700
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2017)
Abstract A novel device for monitoring plasma-induced damage in the back-end-of-line (BEOL) process with charge splitting capability is first-time proposed and demonstrated. This novel charge splitting in situ recorder (CSIR) can independently trace
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7382f592926c40ba864155c8d74835c4
Autor:
Sato, Yoshihiro
甲第24580号
工博第5086号
新制||工||1974(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
工博第5086号
新制||工||1974(附属図書館)
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2433/283699
Publikováno v:
Electronics; Volume 11; Issue 13; Pages: 1929
In this work we report on the improvement in cold temperature characteristics of PMOSFETs and inverter circuits by removing the plasma-damaged layer of the source/drain contacts. We removed the plasma-induced damage on the Si using a simple in situ S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::51c6a28750ebd95eb27d758dd1c4569b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.