Zobrazeno 1 - 10
of 1 630
pro vyhledávání: '"Plasma process-induced damage"'
Autor:
Beckmeier, D., Martin, A.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2018 88-90:152-158
Autor:
Beckmeier, D., Martin, A.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2016 64:189-193
Autor:
Eriguchi, Koji, Ono, Kouichi
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1464-1470
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2006 83(3):415-422
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability May 2001 41(5):751-765
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e6e5541087221790a43feda93ad5a641
https://doi.org/10.7567/ssdm.2020.k-1-04
https://doi.org/10.7567/ssdm.2020.k-1-04
Publikováno v:
IRPS
A simple method for quantitative prediction of V th shift due to plasma process induced charging damage considering protection device effect is proposed. Based on this prediction, the gate oxide of transistor may be stressed by high voltage during pl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5aafcd0705ee504ef65067fc04da75cc
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9128947
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9128947
Autor:
Andreas Martin, D. Beckmeier
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. :152-158
Many wafer manufacturing processes use plasma or other charge-based effects. The resulting currents can damage or destroy MOS gate oxides of transistors in products. This plasma induced damage (PID) can be in form of a reduction of the required lifet
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::22acacf8cd7ef7d0cc20fef150311513
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.118
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.118