Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"Plaisier, J."'
Publikováno v:
J. Cryst. Growth 593 (2022) 126768
We present a study on the influence of strain-relieving InAlAs buffer layers on metamorphic InAs/InGaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs. Residual strain in the buffer layer, the InGaAs barrier and the InAs wells were assessed by
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.11590
Unravelling structural changes of the Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2 lattice upon cycling in lithium cell
Publikováno v:
In Materials Today Sustainability March 2023 21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shkvarina, E. G., Postnikov, M. S., Merentsov, A. I., Shkvarin, A. S., Radzivonchik, D. I., Gigli, L., Gaboardi, M., Plaisier, J. R., Titov, A. N.
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 6/14/2024, Vol. 26 Issue 22, p15999-16007, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shkvarina, E. G., Titov, A. A., Doroschek, A. A., Shkvarin, A. S., Starichenko, D. V., Plaisier, J. R., Gigli, L., Titov, A. N.
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 2017, Vol. 147 Issue 4, p1-9, 9p, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.