Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Plaenitz, P."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Surface Science 2009 603(16):2502-2506
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Drescher, M., Naumann, A., Sundqvist, J., Erben, E., Grass, C., Trentzsch, M., Lazarevic, F., Leitsmann, R., Plaenitz, P.
A novel method of fluorine incorporation into the gate dielectric by gaseous thermal NF3 interface treatments for defect passivation have been investigated in 28nm high-k metal gate technology with respect to improvement in device reliability. The th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::820e440c751528e36e25c25115c391d1
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240523
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240523
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.