Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Pinkovska, M.B."'
Autor:
Konoreva, O.V., Olikh, Ya. M., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P., Shlapatska, V.V.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures February 2017 102:88-93
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Litovchenko, P.G. *, Groza, A.A., Varnina, V.I., Starchik, M.I., Khivrich, V.I., Shmatko, G.G., Polivzev, L.A., Pinkovska, M.B., Bisello, D., Candelori, A., Litovchenko, A.P., Wyss, J., Wahl, W.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 21 November 2003 514(1-3):44-46
Autor:
Hontaruk, O.M., Konoreva, O.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 19, Iss 2, Pp 183-187 (2016)
The paper is devoted to the electrophysical characteristics study of serial red and green GaP light-emitting diodes (LEDs) irradiated with low α-particles doses (Φ ≤ 10¹² cm⁻²). It was stated that radiation features of p-n-junction and its c
Autor:
Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Shlapatska, V.V.
Publikováno v:
Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics. 18:312-316
The study of electrical and optical characteristics of GaP LEDs irradiated with electrons (E = 2 MeV, Ф = 0…10¹⁵ cm⁻²) was performed. Especial interest was focused on appearing of S-type instability in current-voltage characteristics and its
Autor:
Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Olikh, Ya.M., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
The effect of ultrasonic (US) treatment on electroluminescence of initial and irradiated with 2-MeV electrons (Φ = 8.24·10¹⁴ e/cm²) GaAs-GaP LEDs grown on solid solution base was studied. It was found that luminescence intensity of samples prev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::a65c4c4b8b9c5197ea7bdb0856eaa772
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121521
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121521
Autor:
Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.
Electroluminescence of GaP light diodes, treated by ultrasound at room and low temperatures has been studied. It has been found that short ultrasound caused improvement of red diode emission characteristics while electroluminescence degradation occur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::8d78b2928467d4971246550ca2443738
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118000
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118000
Autor:
Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.
Minimum energy of neutron to displace atoms in silicon crystals are equal to 200 eV. Due to this fact testing our p-i-n diodes under irradiation by the epithermal neutrons was carried out. The more advanced p-i-n diodes on the base of high purity sil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::5f778e42f1f5f09ba45f224a8e9a6c45
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119067
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119067
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.