Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"Pinkovska, M. B."'
Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids Structural study of silicon irradiated by large fluences of light gas ions has shown how the degree of damage in Si, both in t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1594::0ec5ca7fab12f17bd2608701f715b770
http://elib.bsu.by/handle/123456789/233876
http://elib.bsu.by/handle/123456789/233876
Autor:
Oksana Konoreva, Litovchenko, P. G., Maliy, E. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V.
Publikováno v:
Âderna Fìzika ta Energetika, Vol 14, Iss 4, Pp 158-162 (2013)
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
Microplasma breakdowns of red and green GaP diodes were studied. It has been shown that tunneling was the main component of reverse current at the beginning of the breakdown while an avalanche current prevailed at highs breakdown current. Microplasma
Autor:
Konoreva, O. V., Malyi, Ye. V., Olikh, Ya. M., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Radkevych, O. I., Tartachnyk, V. P.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 13, № 1 (2016); 41-48
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 13, № 1 (2016); 41-48
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 13, № 1 (2016); 41-48
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 13, № 1 (2016); 41-48
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 13, № 1 (2016); 41-48
Досліджувалися спектри електролюмінесценції червоних фосфідо-галієвих світлодіодів. Окрім основної смуги випромінювання hν = 1,845 еВ, ви
Publikováno v:
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2019, Vol. 11 Issue 3, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Litovchenko, P. G., Groza, A. A., Varnina, V. I., Starchik, M. I., Khivrich, V. I., Shmatko, G. G., Polivzev, L. A., Pinkovska, M. B., Bisello, D., Candelori, A., Litovchenko, A. P., Wyss, Jeffery, Wahl, W.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3980::d2a3189de8793d0afaf643acf11d224f
http://hdl.handle.net/11580/8247
http://hdl.handle.net/11580/8247
Autor:
Hontaruk, O. M., Konoreva, O. V., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Radkevych, O. I., Tartachnyk, V. P.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2016, Vol. 19 Issue 2, p183-187, 5p
Autor:
Konoreva, O. V., Lytovchenko, M. V., Malyi, Ye. V., Olikh, Ya. M., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2016, Vol. 19 Issue 1, p34-38, 5p
Autor:
Konoreva, O. V., Lytovchenko, M. V., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2015, Vol. 18 Issue 3, p312-316, 5p
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2015, Vol. 18 Issue 3, p292-296, 5p