Zobrazeno 1 - 10
of 123
pro vyhledávání: '"Pinilla, Carlos"'
Axion insulators are generally understood as magnetic topological insulators whose Chern-Simons axion coupling term is quantized and equal to $\pi$. Inversion and time reversal, or the composition of either one with a rotation or a translation, are s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.09815
Publikováno v:
Phys. Rev. B 106, 125135 (2022)
Band inversion is a known feature in a wide range of topological insulators characterized by a change of orbital type around a high-symmetry point close to the Fermi level. In some cases of band inversion in topological insulators, the existence of q
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.00284
Autor:
Blanchard, Marc, Desmaele, Elsa, Pokrovski, Gleb S., Pinilla, Carlos, Méheut, Merlin, Vuilleumier, Rodolphe
Publikováno v:
In Chemical Geology 5 September 2024 661
Autor:
Pinilla, Carlos A. Galán, Quiroga, Jabid Eduardo, Ballesteros, Darío Yesid Peña, Cañas, Carlos Andrés Tobar, Minoli, Cesar Augusto Acosta
Publikováno v:
In Procedia Structural Integrity 2024 52:20-27
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 111:235501 (2013)
Carbon monoxide and nitrogen are among the potentially interesting high-energy density materials. However, in spite of the physical similarities of the molecules, they behave very differently at high pressures. Using density functional theory and str
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1312.1490
Autor:
Bishop, Nathaniel C., Young, Ralph W., Eyck, Gregory A. Ten, Wend, Joel R., Bielejec, Edward S., Eng, Kevin, Tracy, Lisa A., Lilly, Michael P., Carroll, Malcolm S., Pinilla, Carlos Borrás, Stalford, Harold L.
We observe resonant tunneling in silicon split gate point contacts implanted with antimony and defined in a self-aligned poly-silicon double gate enhancement mode Si-MOS device structure. We identify which resonances are likely candidates for transpo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1107.5104
Autor:
Stalford, H. L., Young, R., Nordberg, E. P., Levy, James. E., Pinilla, Carlos Borras, Carroll, M. S.
Quantum dot (QD) lay-outs are becoming more complex as the technology is being applied to more complex multi-QD structures. This increase in complexity requires improved capacitance modeling both for design and accurate interpretation of QD propertie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0911.3670
Autor:
Mendoza-Estrada, Victor, González-García, Alvaro, López-Pérez, William, Pinilla, Carlos, González-Hernández, Rafael
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 June 2017 467:12-17