Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Ping-Nan Tseng"'
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1991 Custom Integrated Circuits Conference.
A novel analytic model for minority-carrier well-type guard ring design has been developed for CMOS circuits. This model, expressed as a function of epi-layer thickness, well junction depth, and guard ring width, has been verified by two-dimensional
Publikováno v:
Proceedings of the 1991 International Conference on Microelectronic Test Structures.
The authors present a photoemission detection technique applied to a specially designed p-n-p-n structure in order to accurately determine the essential parameters dominating the hysteresis of I-V characteristics in CMOS latchup paths. It is shown ex
Publikováno v:
Proceedings of the 1991 International Conference on Microelectronic Test Structures; 1990, p231-235, 5p
Publikováno v:
IEE Proceedings G Circuits, Devices and Systems. 140:182
Minority carriers injected from an active emitter into the substrate and partially collected by the bottom well junction in an epitaxial CMOS structure are studied. Two-dimensional numerical simulation has revealed that the minority-carrier collectio
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 1991 Custom Integrated Circuits Conference; 1991, p4.5/1-4.5/4, 1p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.