Zobrazeno 1 - 10
of 162
pro vyhledávání: '"Piner, E."'
Autor:
Glinka, Y. D., Shahbazyan, T. V., Everitt, H. O., Muth, J. F., Roberts, J., Rajagopal, P., Cook, J., Piner, E., Linthicum, K.
We report on photoluminescence (PL) measurements at 85 K for GaN/AlGaN surface quantum wells (SQW's) with a width in the range of 1.51-2.9 nm. The PL spectra show a redshift with decreasing SQW width, in contrast to the blueshift normally observed fo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0905.1972
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2002 46(9):1441-1444
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2002 46(5):743-746
An electrical characterization of a two-dimensional electron gas in GaN/AlGaN on silicon substrates.
Autor:
Elhamri, S., Berney, R., Mitchel, W. C., Mitchell, W. D., Roberts, J. C., Rajagopal, P., Gehrke, T., Piner, E. L., Linthicum, K. J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/15/2004, Vol. 95 Issue 12, p7982-7989, 8p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/15/2001, Vol. 89 Issue 12, p7983, 5p, 1 Chart, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Singhal, S. ; Brown, J.D. ; Borges, R. ; Piner, E. ; Nagy, W. ; Vescan, A. (2002) Gallium Nitride on Silicon HEMTs for Wireless Infrastructure Applications, Thermal Design and Performance. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2002, 23-27 september 2002, Milano.
GaN HEMTs are being touted as the next generation microwave power transistor. Many research groups have reported outstanding DC and RF results on small periphery devices. However, the data on larger devices is somewhat limited. This paper will presen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::171d0f51a371de02df575930ae84b1a2