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Autor:
Karine Mourgues, J. Marcon, Mohamed Masmoudi, Pierre Bertram, Philippe Eudeline, Mohamed Ali Belaïd, M. Gares, Hichame Maanane, Clément Tolant
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 46:1806-1811
This paper presents an innovative reliability bench specifically dedicated to high RF power device lifetime tests under pulse conditions for radar application. A base-station dedicated LDMOS transistor has been chosen for RF lifetests and a complete
Autor:
J. Marcon, Philippe Eudeline, Mohamed Gares, Mohamed Masmoudi, Pierre Bertram, Karine Mourgues, Mohamed Ali Belaïd, Hichame Maanane
Publikováno v:
CCECE
L'effet de la temperature sur les parametres du composant RF LDMOS de puissance est mis en evidence. En effet, l'acceleration des mecanismes de degradation est liee, directement ou indirectement, a la variation de la temperature. Les tests pratiques