Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"Pickett's model"'
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 24, Iss 2, Pp 378-383 (2015)
Analysis of Pickett’s model of the HP TiO2 memristor presented in this paper reveals an ambiguity of its port equation, which may cause non-convergence, numerical errors, and non-physical solutions during time-domain simulation. As there is no easy
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/100218c9bcbf47cb9fa8a24533285154
Publikováno v:
Radioengineering. 2015 vol. 24, č. 2, s. 378-383. ISSN 1210-2512
Radioengineering, Vol 24, Iss 2, Pp 378-383 (2015)
Radioengineering, Vol 24, Iss 2, Pp 378-383 (2015)
Analysis of Pickett’s model of the HP TiO2 memristor presented in this paper reveals an ambiguity of its port equation, which may cause non-convergence, numerical errors, and non-physical solutions during time-domain simulation. As there is no easy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b27d45aaea28e2424a84b6697df21f9f
https://doi.org/10.13164/re.2015.0378
https://doi.org/10.13164/re.2015.0378
Publikováno v:
In Construction and Building Materials 28 June 2021 289
Autor:
Liu, Zhichao ⁎, Hansen, Will
Publikováno v:
In Construction and Building Materials 15 September 2016 121:429-436
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Titanium dioxide (TiO2) memristors exhibit complex conduction mechanism. Several models of different complexity have been developed in order to mimic the experimental results for physical behaviors observed in memristor devices. Pickett's tunneling b
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1502.07267
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2013 European Conference on Circuit Theory & Design (ECCTD); 2013, p1-4, 4p
Publikováno v:
Nanomaterials (2079-4991); Dec2023, Vol. 13 Issue 24, p3132, 17p