Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Phil Schani"'
Autor:
Horacio Mendez, Louis C. Parrillo, Norm Herr, R.W. Mauntel, John Sweeney, Peter Fejes, Phil Schani
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
A new leakage mechanism that is a strong function of substrate bias has been observed on lightly doped drain (LDD) MOSFETs. The substrate bias dependence on this drain-to-substrate leakage current is shown to be related to the formation of sidewall s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::707f7322efa160bba49e0c8d401e6284
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32798
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32798
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
Conventional focussed ion beam (FIB) based specific area transmission electron microscopy (TEM) sample preparation techniques usually requires complex grinding and gluing steps before final FIB thinning of the sample to electron transparency (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ec8e524b41bf27f03fdbe0ed1e63df9
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2000p0415
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2000p0415
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
Temperature sensitive single bit failures at wafer level testing on 0.4µm Fast Static Random Access Memory (FSRAM) devices are analyzed. Top down deprocessing and planar Transmission Electron Microscopy (TEM) analyses show a unique dislocation in th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43f37326224b24855f69bd39e4150526
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1998p0373
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1998p0373
Burn-in Failure Analysis of 0.5μm 1MB SRAM: Barrier Glue Layer Cracks and Tungsten Plug 'Worm Holes'
Autor:
J. Fitch, S. Tatti, B. Dunnigan, C.M. Chan, E. Deeters, S. Crown, Phil Schani, Ed Widener, Jamey Moss, F.Y. Soon, N.H. Hamid
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
A new 0.5 um 1 Megabit SRAM which employed a double metal, triple poly CMOS process with Tungsten plug metal to poly /silicon contacts was introduced. During burn-in of this product, high currents, apparently due to electrical overstress, were experi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2badce823b9a78edc86935f79be2062
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1996p0159
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa1996p0159
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Continual improvements in yield, reliability and manufacturability measure a fab and ultimately result in Total Customer Satisfaction. A new organizational and technical methodology for continuous defect reduction has been established in a formal fee
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4c3c67369f6459334fdb69a5eacb24e
https://doi.org/10.1117/12.139359
https://doi.org/10.1117/12.139359
Autor:
Norm Herr, Paul Tuohy, Pat Liston, John Sweeney, Phil Schani, Mark Franklin, Michael Phillips, Dean J. Dreier, Horacio Mendez, Brian Aubin
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
A new multilevel metal failure mechanism is presented in the context of improved manufacturing and reliability. Device failures, with electrical overstress (EOS) characteristics, are shown to be caused by metal-to-metal shorts. These shorts occur whe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb393f2f3aa4e95b864efd8295a0aba3
https://doi.org/10.1117/12.139340
https://doi.org/10.1117/12.139340
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.