Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Ph. Lindorfer"'
Publikováno v:
MRS Proceedings. 391
This paper describes an application of process and device simulation programs in the study of substrate current generated by hot-carrier effect in submicron p-channel MOSFET devices. The impact ionization model for holes was calibrated for accurate s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8b9a14483f38b5566346c5ce97cec6c
https://doi.org/10.1557/proc-391-21
https://doi.org/10.1557/proc-391-21
Autor:
Ph. Lindorfer, C. Bulucea
Publikováno v:
Simulation of Semiconductor Devices and Processes ISBN: 9783709173725
Neural modeling of transistor current-voltage characteristics is explored as a possible solution to the complexity and accuracy problems currently encountered with analytical representations of VLSI devices. The neural modeling methodology is discuss
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e7cf0572a08a7996af79c4aefd9c861
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-6657-4_7
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-6657-4_7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.