Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Ph. Gilet"'
Autor:
R. Hamelin, S. Poncet, A. Chelnokov, N. Dunoyer, C. Rossat, Ph. Duvaut, E. Pougeoise, Jean-Michel Gérard, Ph. Grosse, Laurent Grenouillet, Ph. Gilet
Publikováno v:
physica status solidi c. 3:395-398
We have processed 1.3 µm range InAs quantum dot oxide confined vertical cavity surface emitting lasers with top distributed Bragg reflectors contacts, all on GaAs substrate. Our devices exhibit acceptable parameters for 10 Gigabit Ethernet standards
Autor:
Gilles Lerondel, J. S. Bouillard, L. Grenouillet, Alexei Chelnokov, Renaud Bachelot, E. Pougeoise, Sylvain Blaize, S. Vilain, Pascal Royer, Jean-Michel Gérard, Jesper Berggren, Ph. Gilet, P. Sundgren, Mattias Hammar, Regis Hamelin, Philippe Grosse
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 21:377-379
We present an experimental study of the main modes involved in the emission properties of InGaAs-GaAs quantum-well oxide-confined long wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers. Lasing properties are dominated by the so-called "oxide modes"
Autor:
Andreas Grau, Dimitri Litvinov, Andreas Rosenauer, L. Grenouillet, Ph. Gilet, Dagmar Gerthsen, Michael Hetterich
Publikováno v:
Applied physics letters
We report on measurements of the nitrogen-concentration profile in an InGaNAs heterostructure by high-resolution transmission electron microscopy. Two samples grown by gas-source molecular-beam epitaxy on GaAs(001) substrates were investigated which
Autor:
Jean-Michel Gérard, R. Stevens, Ph. Gilet, Ph. Grosse, E. Pougeoise, Jesper Berggren, L. Grenouillet, A. Chelnokov, Petrus Sundgren, S. Poncet, Mattias Hammar, Regis Hamelin, Nicolas Olivier
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
In this article, we report our results on 1.3IŒm VCSELs for optical interconnection applications. Room temperature continuous-wave lasing operation is demonstrated for top emitting oxide-confined devices with three different active materials, highly
Autor:
R. Stevens, Petrus Sundgren, Renaud Bachelot, S. Vilain, Ph. Grosse, E. Pougeoise, Gilles Lerondel, J. S. Bouillard, S. Poncet, G. Bourgeois, Mattias Hammar, Pascal Royer, Regis Hamelin, Jesper Berggren, A. Chelnokov, Ph. Gilet, Jean-Michel Gérard
Publikováno v:
SPIE Photonics Europe
SPIE Photonics Europe, 2006, Strasbourg, France. pp.61850U, ⟨10.1117/12.662118⟩
SPIE Photonics Europe, 2006, Strasbourg, France. pp.61850U, ⟨10.1117/12.662118⟩
International audience; In the context of optical interconnection applications, we report on results obtained on strained InGaAs quantum well Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs). Our devices are top p-type DBR oxide-confined VCSEL, grown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::88831ab33968a3c7d151413bf7f81722
https://hal-utt.archives-ouvertes.fr/hal-02495762
https://hal-utt.archives-ouvertes.fr/hal-02495762
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.