Zobrazeno 1 - 10 of 46 pro vyhledávání: '"Pfister, J. C."'
1
Akademický článek
Effects of post-diffusion annealing on Zn-diffused GaAs:Si.
Autor: Ky, Nguyen Hong, Ganière, J. D., Reinhart, F. K., Blanchard, B., Pfister, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1993, Vol. 74 Issue 9, p5493, 8p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Surface segregation mechanism during two-dimensional epitaxial growth: The case of dopants in Si and GaAs molecular-beam epitaxy.
Autor: Andrieu, S., d’Avitaya, F. Arnaud, Pfister, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1989, Vol. 65 Issue 7, p2681, 7p, 2 Diagrams, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Close spatial correlation and chemical effects in annealing of paramagnetic oxygen vacancies (E’1 centers) in ion-implanted amorphous SiO2.
Autor: Golanski, A., Pfister, J. C., Nicolle, T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1986, Vol. 59 Issue 4, p1096, 7p, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Dopant diffusion in silicon: A consistent view involving nonequilibrium defects.
Autor: Mathiot, D., Pfister, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1984, Vol. 55 Issue 10, p3518-3530, 13p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Impurity segregation during explosive crystallization of amorphous silicon.
Autor: Bensahel, D., Auvert, G., Perio, A., Pfister, J. C., Izrael, A., Henoc, P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1983, Vol. 54 Issue 6, p3485-3488, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Influence of the nonequilibrium vacancies on the diffusion of phosphorus into silicon.
Autor: Mathiot, D., Pfister, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1982, Vol. 53 Issue 4, p3053-3058, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Dopant redistribution in heavily doped silicon: Confirmation of the validity of the vacancy-percolation model.
Autor: Mathiot, D., Pfister, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1989, Vol. 66 Issue 2, p970, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Optical identification of substitutional acceptors in refined ZnTe.
Autor: Magnea, N., Bensahel, D., Pautrat, J. L., Pfister, J. C.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Aug1979, Vol. 94 Issue 2, p627-639, 13p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Non-metallic solids. Vacancy enhanced diffusion in silicon. Effects of irradiation and of chemical impurities.
Autor: Baruch, P., Constantin, C., Pfister, J. C., Saintesprit, Mme. R.
Publikováno v: Discussions of the Faraday Society; 1961, Vol. 31, p76-85, 10p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
Excited donor and acceptor states in zinc telluride
Autor: Venghaus, H., Dean, P. J., Simmonds, P. E., Pfister, J. C.
Publikováno v: Zeitschrift für Physik B Condensed Matter; June 1978, Vol. 30 Issue: 2 p125-128, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje