Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Pfaffenlehner M"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pfaffenlehner, M., Felsl, H.-P., Niedernostheide, F.-J., Pfirsch, F., Schulze, H.-J., Baburske, R., Lutz, J.
Publikováno v:
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD); 2011, p108-111, 4p
Autor:
Felsl, H.P., Pfaffenlehner, M., Schulze, H., Biermann, J., Gutt, T., Schulze, H.-J., Chen, M., Lutz, J.
Publikováno v:
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's; 2008, p173-176, 4p
Publikováno v:
2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's; 2006, p1-4, 4p
Autor:
Laska, T., Miller, G., Pfaffenlehner, M., Turkes, P., Berger, D., Gutsmann, B., Kanschat, P., Munzer, M.
Publikováno v:
ISPSD '03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, 2003; 2003, p152-155, 4p
Publikováno v:
Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices & Ics; 2002, p105-108, 4p