Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Petrushkov, M. O."'
Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR) dalamber.07@mail.ru, Petrushkov, M. O.1 (AUTHOR), Emelyanov, E. A.1 (AUTHOR), Nenashev, A. V.1,2 (AUTHOR), Yesin, M. Yu.1 (AUTHOR), Vasev, A. V.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Bogomolov, D. B.1 (AUTHOR), Gutakovskiy, A. K.1,2 (AUTHOR), Preobrazhenskiy, V. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2021, Vol. 55 Issue 2, p194-201. 8p.
Autor:
Petrushkov, M. O.1 (AUTHOR) maikdi@isp.nsc.ru, Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR), Emelyanov, E. A.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Vasev, A. V.1 (AUTHOR), Loshkarev, D. I.1 (AUTHOR), Yesin, M. Yu.1 (AUTHOR), Komkov, O. S.3 (AUTHOR), Firsov, D. D.3 (AUTHOR), Preobrazhenskii, V. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. 2020, Vol. 54 Issue 12, p1548-1554. 7p.
Autor:
null Preobrazhenskii V. V., null Putyato M. A., null Vasev A. V., null Semyagin B. R., null Gavrilova T. A., null Spirina A. A., null Nastovjak A. G., null Petrushkov M. O., null Del’ T. A., null Emelyanov E. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:26
Structures with arrays of planar and tilted quasi-one-dimensional GaAs nanocrystals have been grown on GaAs(001) substrates. An epitaxial silicon layer oxidized in air was used as a passivation coating. The amount of silicon deposited varied from str
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f5324cacfb4c57d9371d81c53e67b4d
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55366.19334
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55366.19334
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR) dalamber.07@mail.ru, Petrushkov, M. O.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Semyagin, B. R.1 (AUTHOR), Emelyanov, E. A.1 (AUTHOR), Preobrazhenskii, V. V.1 (AUTHOR), Gutakovskii, A. K.1,2 (AUTHOR), Shamirzaev, T. S.1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1143-1147. 5p.
Autor:
Abramkin, D. S.1,2, Petrushkov, M. O.1, Putyato, M. A.1, Semyagin, B. R.1, Shamirzaev, T. S.1,2,3 tim@isp.nsc.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2018, Vol. 52 Issue 11, p1484-1490. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Petrushkov, M. O.1 maikdi@isp.nsc.ru, Putyato, M. A.1, Chistokhin, I. B.1, Semyagin, B. R.1, Emel’yanov, E. A.1, Esin, M. Yu.1, Gavrilova, T. A.1, Vasev, A. V.1, Preobrazhenskii, V. V.1
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Jul2018, Vol. 44 Issue 7, p612-614. 3p.
Autor:
Preobrazhenskii, V. V., Chistokhin, I. B., Putyato, M. A., Valisheva, N. A., Emelyanov, E. A., Petrushkov, M. O., Pleshkov, A. S., Neizvestny, I. G., Ryabtsev, I. I.
Publikováno v:
Optoelectronics Instrumentation & Data Processing; Sep2021, Vol. 57 Issue 5, p485-493, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.