Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Petitdidier, Sebastien"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vianne, Benjamin, Bar, Pierre, Fiori, Vincent, Petitdidier, Sebastien, Chevrier, Norbert, Gallois-Garreignot, Sebastien, Farcy, Alexis, Chausse, Pascal, Escoubas, Stephanie, Hotellier, Nicolas, Thomas, Olivier
Publikováno v:
2013 IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC); 2013, p1-7, 7p
Autor:
Loup, Virginie, Gabette, Laurence, Roure, Christine, Kachtouli, Riadh, Jourdan, Marine, Besson, Pascal, Petitdidier, Sebastien
Publikováno v:
ECS Transactions; August 2013, Vol. 58 Issue: 6 p47-55, 9p
Publikováno v:
ECS Transactions; September 2007, Vol. 11 Issue: 2 p431-440, 10p
Publikováno v:
ECS Transactions; September 2007, Vol. 11 Issue: 2 p387-394, 8p
Autor:
Chemla, Marius, Bertagna, Valerie, Erre, Rene, Rouelle, Francois, Petitdidier, Sebastien, Levy, Didier
Publikováno v:
Electrochemical and Solid State Letters; January 2003, Vol. 6 Issue: 1 pG7-G11, 5p
Autor:
Petitdidier, Sébastien
Les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistors) de la filière GaN sont destinés à des applications dans les domaines militaire et spatial. C’est pourquoi nous avons étudié l’influence de trois types de stress électriques : à can
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017NORMC201/document
