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pro vyhledávání: '"Petitdidier, Sébastien"'
Autor:
Petitdidier, Sébastien
Les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistors) de la filière GaN sont destinés à des applications dans les domaines militaire et spatial. C’est pourquoi nous avons étudié l’influence de trois types de stress électriques : à can
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017NORMC201/document
Autor:
Petitdidier, Sébastien, Guhel, Yannick, Trolet, Jean Lionel, Mary, P., Gaquière, Christophe, Boudart, B.
Publikováno v:
20es Journées Nationales Microondes
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
International audience
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bab570c4be21b1bae17557a2afe4cb06
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01652201
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Akademický článek
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Autor:
Bertagna, Valérie, Erre, René, Rouelle, François, Lévy, Didier, Petitdidier, Sébastien, Chemla, Marius
Publikováno v:
Journal of Solid State Electrochemistry; Jul2001, Vol. 5 Issue 5, p306-312, 7p
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; January 2009, Vol. 145 Issue: 1 p15-18, 4p
Autor:
Filippini, Andrea, Petitdidier, Sébastien, Trouiller, Chantal, Couvrat, Alexandre, Luche, Marie Christine, Sabouret, Eric
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; November 2007, Vol. 134 Issue: 1 p375-378, 4p
Autor:
Trouiller, Chantal, Petitdidier, Sébastien, Ravanel, X., Broussous, Lucile, Juhel, M., Kwakman, L.F.Tz., Wyon, C.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; November 2007, Vol. 134 Issue: 1 p371-374, 4p
Autor:
Petitdidier, Sébastien, Bartosh, Kyle, Trouiller, Chantal, Couvrat, Alexandre, Liu, Jun, Zaleski, Mark
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; November 2007, Vol. 134 Issue: 1 p299-302, 4p
Autor:
Beverina, Alessio, Guilmeau, I., Carrere, J.P., Emonet, N., Guyader, F., Huard, V., Petitdidier, Sébastien, Velard, R.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; May 2003, Vol. 92 Issue: 1 p235-238, 4p
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; May 2003, Vol. 92 Issue: 1 p187-190, 4p