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pro vyhledávání: '"Pertermann, Eric"'
Autor:
Pertermann, Eric
Die Anforderungen an schnelle Dioden sind sehr hoch für große Spannungen und große Ströme. Die Beeinflussung des Bauelementverhaltens durch das Design des Dotierprofils mit einem tiefen mehrstufigen Feldstopp aus Selen bildet einen zentralen Punk
Akademický článek
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Autor:
Pertermann, Eric
Die Anforderungen an schnelle Dioden sind sehr hoch für große Spannungen und große Ströme. Die Beeinflussung des Bauelementverhaltens durch das Design des Dotierprofils mit einem tiefen mehrstufigen Feldstopp aus Selen bildet einen zentralen Punk
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______218::cf8a61389ee9e8a98f99d686aace94a2
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa:20643
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa:20643
Investigation of deep levels in SiC-Schottky diodes with frequency resolved admittance spectroscopy.
Autor:
Pertermann, Eric, Lutz, Josef, Sharma, R. K., Hazdra, P., Popelka, S., Felsl, Hans Peter, Niedernostheide, Franz-Josef, Schulze, Hans-Joachim
Publikováno v:
2015 IEEE MTT-S 2015 International Microwave Workshop Series on RF & Wireless Technologies for Biomedical & Healthcare Applications (IMWS-BIO); 2015, p1-7, 7p
Autor:
Pertermann, Eric, Lutz, Josef, Basler, Thomas, Schulze, Hans-Joachim, Felsl, Hans Peter, Franz-Josef
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2014, p27-30, 4p
Autor:
Pertermann, Eric, Lutz, Josef, Arnold, Markus, Zahn, Dietrich R. T., Schulze, Hans-Joachim, Felsl, Hans Peter, Niedernostheide, Franz-Josef
Publikováno v:
2013 15th European Conference on Power Electronics & Applications (EPE); 2013, p1-6, 6p