Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Periyanayagam, Gandhi Kallarasan"'
Autor:
Zhao, Liang1 (AUTHOR) l-zhao-4x5@eagle.sophia.ac.jp, Periyanayagam, Gandhi Kallarasan1 (AUTHOR), Yada, Ryosuke1 (AUTHOR), Zhang, Junyu1 (AUTHOR), Kuroi, Mizuo1 (AUTHOR), Shimomura, Kazuhiko1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Nov2024, p1. 6p. 13 Illustrations.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sugiyama, Hirokazu, Uchida, Kazuki, Han, Xu, Periyanayagam, Gandhi Kallarasan, Aikawa, Masaki, Hayasaka, Natsuki, Shimomura, Kazuhiko
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 February 2019 507:93-97
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xu Han, Kazuhiko Shimomura, Naoki Kamada, Hirokazu Sugiyama, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, Natsuki Hayasaka, Yuya Onuki, Kazuki Uchida, Masaki Aikawa
Publikováno v:
Conference on Lasers and Electro-Optics.
Silicon optoelectronic integrated circuits (OEIC) has become the best platform for optical interconnection. Crystal growth on the Si substrate for 1.5 μm GaInAsP stripe laser diode has been demonstrated via MOVPE and successfully achieved the lasing
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe18c26bfc22dd0854428e92bf3f844d
https://doi.org/10.1364/cleo_at.2018.jtu2a.12
https://doi.org/10.1364/cleo_at.2018.jtu2a.12
Autor:
Yuya Onuki, Kazuki Uchida, Hirokazu Sugiyama, Natsuki Hayasaka, Tetsuo Nishiyama, Naoki Kamada, Xu Han, Kazuhiko Shimomura, Masaki Aikawa, Periyanayagam Gandhi Kallarasan
Publikováno v:
2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D).
Lasing characteristics dependent on the bonding temperature for 1.5μm GalnAsP LD grown on directly bonded InP/Si substrate was successfully obtained. We have grown laser structure by MOVPE using InP/Si substrate, and fabricated broad area edge-emitt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31076a1e6048557c14a419f10f95a4e6
https://doi.org/10.23919/ltb-3d.2017.7947472
https://doi.org/10.23919/ltb-3d.2017.7947472
Autor:
Periyanayagam Gandhi Kallarasan, Naoki Kamada, Yuya Onuki, Kazuki Uchida, Hirokazu Sugiyama, Xu Han, Natsuki Hayasaka, Masaki Aikawa, Kazuhiko Shimomura
Publikováno v:
JSAP-OSA Joint Symposia 2017 Abstracts.
The monolithic integration of optical III-V Laser Diode (LD) especially InP based LD is a predominant factor in the actualization of light sources on the silicon platform. We have proposed the monolithic integration of III-V LD epitaxial layers on th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d69ac27bd9db80f99167fdf83d874c3a
https://doi.org/10.1364/jsap.2017.6p_a410_4
https://doi.org/10.1364/jsap.2017.6p_a410_4
Autor:
Naoki Kamada, Tetsuo Nishiyama, Kazuhiko Shimomura, Yuya Onuki, Periyanayagam Gandhi Kallarasan
Publikováno v:
Conference on Lasers and Electro-Optics.
We have demonstrated for the first time 1.5 μm GaInAsP laser on silicon substrate using direct wafer bonding and MOVPE growth. The energy bandgap of bulk crystalline silicon is always a critical issue as it leads to the limitations of Si as light so
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1024539562c6970f59bac5db0860b5df
https://doi.org/10.1364/cleo_at.2017.jtu5a.108
https://doi.org/10.1364/cleo_at.2017.jtu5a.108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.