Zobrazeno 1 - 1
of 1
pro vyhledávání: '"Perfil de dopantes"'
Autor:
Dalponte, Mateus
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio em alta temp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/15397
