Zobrazeno 1 - 10
of 487
pro vyhledávání: '"Perez-Murano F"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Camara, N., Rius, G., Huntzinger, J-R., Tiberj, A., Mestres, N., Perez-Murano, F., Godignon, P., Camassel, J.
We present an investigation of large, isolated, graphene ribbons grown on the C-face of on-axis semi-insulating 6H-SiC wafers. Using a graphite cap to cover the SiC sample, we modify the desorption of the Si species during the Si sublimation process.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0812.4351
Autor:
Garcia-Sanchez, D., Paulo, A. San, Esplandiu, M. J., Perez-Murano, F., Forro, L., Aguasca, A., Bachtold, A.
Publikováno v:
Published in Phys. Rev. Lett. 99, 085501 (2007)
Bending-mode vibrations of carbon nanotube resonator devices were mechanically detected in air at atmospheric pressure by means of a novel scanning force microscopy method. The fundamental and higher order bending eigenmodes were imaged at up to 3.1G
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0712.3196
Autor:
Stokbro, K., Thirstrup, C., Sakurai, M., Quaade, U., Hu, Ben Yu-Kuang, Perez-Murano, F., Grey, F.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 80, 2618 (1998).
We report STM-induced desorption of H from Si(100)-H(2$\times1$) at negative sample bias. The desorption rate exhibits a power-law dependence on current and a maximum desorption rate at -7 V. The desorption is explained by vibrational heating of H du
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9802304
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 May 2014 119:44-47
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering October 2013 110:234-240
Autor:
Martin-Fernandez, I., Sansa, M., Esplandiu, M.J., Lora-Tamayo, E., Perez-Murano, F., Godignon, P.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2010 87(5):1554-1556