Zobrazeno 1 - 10 of 206 pro vyhledávání: '"Perevalov, T V"'
1
Akademický článek
Mechanism of Transverse Charge Transfer in Thin Films of Hexagonal Boron Nitride.
Autor: Islamov, D. R.1,2 (AUTHOR) damir@isp.nsc.ru, Perevalov, T. V.1 (AUTHOR), Gismatulin, A. A.1 (AUTHOR), Azarov, I. A.1 (AUTHOR), Spesivtsev, E. V.1 (AUTHOR), Gritsenko, V. A.1,3 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Experimental & Theoretical Physics. Mar2023, Vol. 136 Issue 3, p345-352. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
Charge transport in amorphous Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$
Autor: Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Cheng, C. H., Chin, A.
Publikováno v: Appl. Phys. Lett. 106 (2015) 102906
In this study, we demonstrated experimentally and theoretically that the charge transport mechanism in amorphous Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$ is phonon-assisted tunneling between traps like in HfO$_2$ and ZrO$_2$. The thermal trap energy of 1.25 eV and
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1501.02370
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma.
Autor: Perevalov, T. V.1,2 (AUTHOR) timson@isp.nsc.ru, Iskhakzai, R. M. Kh.1 (AUTHOR), Aliev, V. Sh.1 (AUTHOR), Gritsenko, V. A.1,2 (AUTHOR), Prosvirin, I. P.3 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Experimental & Theoretical Physics. 2020, Vol. 131 Issue 6, p940-944. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Report
Origin of defects responsible for charge transport in resistive random access memory based on hafnia
Autor: Islamov, Damir R., Perevalov, T. V., Gritsenkov, V. A., Aliev, V. Sh., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V., Cheng, C. H., Chin, Albert
A promising candidate for universal memory, which would involve combining the most favourable properties of both high-speed dynamic random access memory (DRAM) and non-volatile flash memory, is resistive random access memory (ReRAM). ReRAM is based o
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1309.0071
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Optical Properties of (ZrO2)1 – x(Y2O3)х (х = 0–0.037) Crystals Grown by Directional Crystallization of the Melt.
Autor: Perevalov, T. V.1,2 (AUTHOR) timson@isp.nsc.ru, Kruchinin, V. N.1 (AUTHOR), Rykhlitskii, S. V.1 (AUTHOR), Gritsenko, V. A.1,2 (AUTHOR), Eliseev, A. P.3 (AUTHOR), Lomonova, E. E.4 (AUTHOR)
Publikováno v: Optics & Spectroscopy. Dec2020, Vol. 128 Issue 12, p1963-1969. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Optical Properties of the SiOx (x < 2) Thin Films Obtained by Hydrogen Plasma Processing of Thermal Silicon Dioxide.
Autor: Kruchinin, V. N.1 (AUTHOR) kruch@isp.nsc.ru, Perevalov, T. V.1,2 (AUTHOR), Aliev, V. Sh.1,3 (AUTHOR), Iskhakzai, R. M. Kh.1 (AUTHOR), Spesivtsev, E. V.1 (AUTHOR), Gritsenko, V. A.1,2 (AUTHOR), Pustovarov, V. A.4 (AUTHOR)
Publikováno v: Optics & Spectroscopy. Oct2020, Vol. 128 Issue 10, p1577-1582. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma.
Autor: Perevalov, T. V.1 (AUTHOR) timson@isp.nsc.ru, Iskhakzai, R. M. Kh.1 (AUTHOR), Prosvirin, I. P.2 (AUTHOR), Aliev, V. Sh.1,3 (AUTHOR), Gritsenko, V. A.1,3 (AUTHOR)
Publikováno v: JETP Letters. Jan2022, Vol. 115 Issue 2, p79-83. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Optical Properties of Nonstoichiometric Silicon Oxide SiOx (x < 2).
Autor: Kruchinin, V. N.1 (AUTHOR) kruch@isp.nsc.ru, Perevalov, T. V.1,2 (AUTHOR), Kamaev, G. N.1 (AUTHOR), Rykhlitskii, S. V.1 (AUTHOR), Gritsenko, V. A.1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v: Optics & Spectroscopy. Nov2019, Vol. 127 Issue 5, p836-840. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje