Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"Penuelas, José"'
Autor:
Fouquat, Louise, Vettori, Marco, Botella, Claude, Benamrouche, Aziz, Penuelas, Jose, Grenet, Genevieve
In this paper the early stages of the self-catalyzed Vapor-Liquid-Solid (VLS) growth of GaAs nanowires on epi-ready Si substrates by Molecular Beam Epitaxy (MBE) are studied. The interaction of Ga nano-droplets (NDs) with the silica overlayer is inve
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.14570
Autor:
Vettori, Marco, Danescu, Alexandre, Guan, Xin, Regreny, Philippe, Penuelas, José, Gendry, Michel
In this work we show that the incidence angle of group-III elements fluxes plays a significant role on the diffusion-controlled growth of III-V nanowires (NWs) by molecular beam epitaxy (MBE). We present a thorough experimental study on the self-assi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.03226
The structure of many multiphase systems is governed by an energy that penalizes the area of interfaces between phases weighted by surface tension coefficients. However, interface evolution laws depend also on interface mobility coefficients. Having
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.04035
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abou Hamad, Valdemar, Abi Tannous, Tony, Soueidan, Maher, Gremillard, Laurent, Fabregue, Damien, Penuelas, Jose, Zaatar, Youssef
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability July 2020 110
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Optics and Lasers in Engineering September 2018 108:15-18
Publikováno v:
In Journal of Computational Physics 15 July 2018 365:324-349
Autor:
Saerens Grégoire, Duong Ngoc My Hanh, Solntsev Alexander S., Karvounis Artemios, Dursap Thomas, Regreny Philippe, Morandi Andrea, Chapman Robert J., Maeder Andreas, Danescu Alexandre, Penuelas José, Chauvin Nicolas, Grange Rachel
Publikováno v:
EPJ Web of Conferences, Vol 266, p 08010 (2022)
We report on the generation of photon pairs at 1550 nm from free-standing epitaxially grown self-assisted micrometre long GaAs nanowires. The efficiency of the spontaneous parametric down-conversion process has a rate of 320 GHz/Wm normalized to the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/88abcc1632e24d04a377dc7fd27dc641
Autor:
Pereira, Antonio, Bonhommeau, Sébastien, Sirotkin, Sergey, Desplanche, Sarah, Kaba, Mamadouba, Constantinescu, Catalin, Diallo, Abdou Karim, Talaga, David, Penuelas, Jose, Videlot-Ackermann, Christine, Alloncle, Anne-Patricia, Delaporte, Philippe, Rodriguez, Vincent
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 October 2017 418 Part B:446-451