Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Pennachio, D. J."'
Autor:
Shojaei, B., Drachmann, A. C. C., Pendharkar, M., Pennachio, D. J., Echlin, M. P., Callahan, P. G., Kraemer, S., Pollock, T. M., Marcus, C. M., Palmstrøm, C. J.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 94, 245306 (2016)
The growth and the density dependence of the low temperature mobility of a series of two-dimensional electron systems confined to un-intentionally doped, low extended defect density InAs quantum wells with Al$_{1-x}$Ga$_{x}$Sb barriers are reported.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.03785
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Harrington, S. D., Sharan, A., Rice, A. D., Logan, J. A., McFadden, A. P., Pendharkar, M., Pennachio, D. J., Wilson, N. S., Gui, Z., Janotti, A., Palmstrøm, C. J.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/7/2017, Vol. 111 Issue 6, p1-5, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 3 Graphs
