Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"Peng Qiangxiang"'
Autor:
Yin, Lu, Li, Xinyu, Xiao, Duoduo, He, Sijia, Zhao, Ying, Peng, Qiangxiang, Yang, Qiong, Liu, Yunya, Wang, Chuanbin
Publikováno v:
In Ceramics International 1 December 2024 50(23) Part A:49577-49586
Autor:
Zeng, Binjian, Xie, Shichang, Zhang, Sirui, Huang, Haoliang, Ju, Changfan, Zheng, Shuaizhi, Peng, Qiangxiang, Yang, Qiong, Zhou, Yichun, Liao, Min
Publikováno v:
In Acta Materialia 15 June 2024 272
Autor:
Ju, Changfan, Zeng, Binjian, Luo, Ziqi, Yang, Zhibin, Hao, Puqi, Liao, Luocheng, Yang, Qijun, Peng, Qiangxiang, Zheng, Shuaizhi, Zhou, Yichun, Liao, Min
Publikováno v:
In Journal of Materiomics March 2024 10(2):277-284
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Chen, Zeng, Binjian, Dai, Siwei, Zheng, Shuaizhi, Peng, Qiangxiang, Xiang, Jinjuan, Gao, Jianfeng, Zhao, Jie, Zhang, Jincheng, Liao, Min, Zhou, Yichun
Publikováno v:
In Journal of Materiomics May 2022 8(3):685-692
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Binjian Zeng, Xiangli Zhong, Min Liao, Yichun Zhou, Shuaizhi Zheng, Wenwu Xiao, Yin Lu, Yue Peng, Chen Liu, Peng Qiangxiang
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:4368-4372
Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)-based ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) with HfO2 seed layer were investigated for radiation-hard nonvolatile memory applications. First, it was found that the HZO thin films grown on HfO2 seed layer showed improved c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9d260e169a111971befdf05439ad303b
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3095036
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3095036