Zobrazeno 1 - 10 of 99 pro vyhledávání: '"Peckerar, M.C."'
1
Conference
An active microelectronic transducer for enabling label-free miniaturized chemical sensors.
Autor: Perkins, F.K., Fertig, S.J., Brown, K.A., McCarthy, D., Tender, L.M., Peckerar, M.C.
Publikováno v: International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138); 2000, p407-410, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
An investigation of the time dependence of current degradation in MOS devices.
Autor: Rakkhit, R., Peckerar, M.C., Yao, C.T.
Publikováno v: 27th Annual Proceedings, International Reliability Physics Symposium; 1989, p103-109, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Deep-depletion CCDs with improved UV sensitivity.
Autor: Bosiers, J.T., Saks, N.S., Michels, D.J., McCarthy, D., Peckerar, M.C.
Publikováno v: 1985 International Electron Devices Meeting; 1985, p448-451, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Radiation hard charge-coupled device operating at 77°K using nitride/oxide gate insulators.
Autor: Bluzer, N., Peckerar, M.C., Schneider, J.B., Fulton, R.
Publikováno v: 1979 International Electron Devices Meeting; 1979, p629-632, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Current transport in ion-implanted MIS solar cells.
Autor: Pai, Y.P., Lin, H.C., Peckerar, M.C.
Publikováno v: 1977 International Electron Devices Meeting; 1977, p51-54, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Endurance of thin-oxide nonvolatile MNOS memory transistors.
Autor: White, M.H., Dzimianski, J.W., Peckerar, M.C.
Publikováno v: 1976 International Electron Devices Meeting; 1976, p177-180, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
An analog neural network solution to the inverse problem of 'early taction'.
Autor: Pati, Y.C., Krishnaprasad, P.S., Peckerar, M.C.
Publikováno v: IEEE Transactions on Robotics & Automation; 1992, Vol. 8 Issue 2, p196-212, 17p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Modeling total dose effects in narrow-channel devices.
Autor: Peckerar, M.C., Brown, D.B., Hung Chang Lin, Ma, D.I.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; 1983, Vol. 30 Issue 9, p1159-1164, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Endurance of thin-oxide nonvolatile MNOS memory transistors.
Autor: White, M.H., Dzimianski, J.W., Peckerar, M.C.
Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices; 1977, Vol. 24 Issue 5, p577-580, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
A model for radiation induced edge leakage in bulk silicon NMOS transistors.
Autor: Jacunski, M.D., Peckerar, M.C.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1992, Vol. 39 Issue 6, p1947-1952, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje