Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"Pechnikov, Aleksei"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
High Sensitivity Low-Temperature Hydrogen Sensors Based on SnO 2 /κ(ε)-Ga 2 O 3 :Sn Heterostructure.
Autor:
Almaev, Aleksei, Yakovlev, Nikita, Kopyev, Viktor, Nikolaev, Vladimir, Butenko, Pavel, Deng, Jinxiang, Pechnikov, Aleksei, Korusenko, Petr, Koroleva, Aleksandra, Zhizhin, Evgeniy
Publikováno v:
Chemosensors; Jun2023, Vol. 11 Issue 6, p325, 15p
Autor:
Almaev, Aleksei, Nikolaev, Vladimir, Kopyev, Viktor, Shapenkov, Sevastian, Yakovlev, Nikita, Kushnarev, Bogdan, Pechnikov, Aleksei, Deng, Jinxiang, Izaak, Tatyana, Chikiryaka, Andrei, Scheglov, Mikhail, Zarichny, Anton
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal; September 2023, Vol. 23 Issue: 17 p19245-19255, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yakovlev, Nikita N., Nikolaev, Vladimir I., Stepanov, Sergey I., Almaev, Aleksei V., Pechnikov, Aleksei I., Chernikov, Evgeniy V., Kushnarev, Bogdan O.
Publikováno v:
IEEE sensors journal. 2021. Vol. 21, № 13. P. 14636-14644
Electrical conductivity and gas sensitivity of α-Ga2O2/ ε(κ)-Ga2O3 structures were measured for oxygen concentrations ranging from 2 % to 100 % and temperatures ranging from 25 °C to 220 °C. It was found that the oxygen sensitivity of the struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::d6889e99674a582569ea1e181102e2aa
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000892742
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000892742
Autor:
Stepanov, Sergey I., Nikolaev, Vladimir I., Almaev, Aleksei V., Pechnikov, Aleksei I., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Kushnarev, Bogdan O., Polyakov, A. Y.
Publikováno v:
Materials physics and mechanics. 2021. Vol. 47, № 4. P. 577-581
Gallium oxide films were grown by HVPE on (0001) sapphire substrates with and without ��-Cr2O3 buffer produced by RF magnetron sputtering. Deposition on bare sapphire substrates resulted in a mixture of ��-Ga2O3 and ��-Ga2O3 phases with a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f395c6b30e3043a40c250c90d785b6c9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.