Zobrazeno 1 - 10
of 761
pro vyhledávání: '"Pearton, Stephen"'
Autor:
Al-Mamun, Nahid Sultan, Islam, Ahmad, Glavin, Nicholas, Haque, Aman, Wolfe, Douglas E., Ren, Fan, Pearton, Stephen
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September 2024 160
Autor:
Wan, Hsiao-Hsuan, Li, Jian-Sian, Chiang, Chiao-Ching, Xia, Xinyi, Hays, David C., Al-Mamun, Nahid Sultan, Haque, Aman, Ren, Fan, Pearton, Stephen J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/21/2024, Vol. 135 Issue 23, p1-7, 7p
Publikováno v:
J. Vac. Sci. Technol. A 39, 023412 (2021)
The design of beta-Ga2O3-based modulation doped field effect transistors (MODFETs) is discussed with a focus on the role of self-heating and resultant modification of the electron mobility profile. Temperature- and doping-dependent model of the elect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.03758
Autor:
Mastro, Michael A., Eddy, Jr., Charles R., Tadjer, Marko J., Hite, Jennifer K., Kim, Jihyun, Pearton, Stephen J.
Publikováno v:
J. Vac. Sci. Technol. A 39, 013408 (2021)
Recent breakthroughs in bulk crystal growth of the thermodynamically stable beta phase of gallium oxide ($\beta$-Ga$_2$O$_3$) have led to the commercialization of large-area beta-Ga$_2$O$_3$ substrates with subsequent epitaxy on (010) substrates prod
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.03741
Autor:
Stavola, Michael, Fowler, W. Beall, Portoff, Amanda, Venzie, Andrew, Glaser, Evan R., Pearton, Stephen J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/14/2024, Vol. 135 Issue 10, p1-14, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.