Zobrazeno 1 - 10
of 2 244
pro vyhledávání: '"Pearton, S. J."'
Autor:
Vasilev, A. A., Kochkova, A. I., Polyakov, A. Y., Romanov, A. A., Matros, N. R., Alexanyan, L. A., Shchemerov, I. V., Pearton, S. J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/14/2024, Vol. 136 Issue 2, p1-8, 8p
Autor:
Polyakov, A. Y., Yakimov, E. B., Saranin, D. S., Chernykh, A. V., Vasilev, A. A., Gostishchev, P., Kochkova, A. I., Alexanyan, L. A., Matros, N. R., Shchemerov, I. V., Pearton, S. J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/28/2024, Vol. 135 Issue 16, p1-12, 12p
Autor:
Mastro, M. A., Hite, J. K., Eddy, Jr., C. R., Tadjer, M. J., Pearton, S. J., Ren, F., Kim, J.
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics and Systems 28(01n02):1940007, February 2019
Recent breakthroughs in bulk crystal growth of beta-Ga2O3 by the edge-defined film-fed technique has led to the commercialization of large-area beta-Ga2O3 substrates. Standard epitaxy approaches are being utilized to develop various thin-film beta-Ga
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2009.01117
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.